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叙述了使用溶胶－凝胶法在Si(001)基片上制备不同厚度的铁电铌酸锶钡薄膜的过程，使用X射线衍射，扫描电子显微镜，拉曼散射光谱等方法研究薄膜的微结构与薄膜厚度之间的关系，薄膜的厚度一直能够达到5μm。实现发现，随着厚度的增加，SBN60薄膜在（001）方向的优先取向性越来越好，在逐层生长的过程中，处于底层的膜层能够起到缓冲层的作用，以逐渐改善薄膜与基片之间的晶格失配，从而使得晶体的结晶取向性越来越好。