Layout dependence of total-ionizing-dose response in 65-nm bulk Si pMOSFET

来源 :中国科学:信息科学(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:JK0803_shijiwu
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Dear editor,rnStrain technology has become a common solution in the semiconductor manufacturing industry since 90-nm technol-ogy node to overcome the severe carrier mobility degradation of nanoscale microelectronic devices[1].Since layout may affect the stress distribution,layout dependent effect(LDE)becomes a serious issue in advanced technology nodes.
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