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本文设计了一种P型的GaN/AlGaN量子阱紫外-红外双色集成光电探测器结构,该结构工作在室温、零偏压下。先使用SilvacoTCAD软件对其进行光学特性仿真得到其光谱响应曲线;再对设计结构进行实物生长和表征分析;接着对其进行分光光度计测试;最后完成光电探测器器件的制备和光谱响应测试发现制备的器件在253.7nm光波段下的光谱响应值达到8.47mA/W,在可见光波段具备“日盲”特性,在780nm处有一响应值,约为0.013mA/W,而后随着光波长的增加,光响应减弱,与光学仿真结果趋势基本一致。