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阐述了BESⅢ漂移室电子学中时间测量电路的主要性能指标：时间分辨、微分非线性及积分非线性的测试方法及测试结果。
BESⅢ漂移室电子学时间测量电路的性能测试
【摘 要】
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阐述了BESⅢ漂移室电子学中时间测量电路的主要性能指标：时间分辨、微分非线性及积分非线性的测试方法及测试结果。
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2007年2期
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