【摘 要】
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现代无线应用正促使将CMOS器件的栅长定到亚1μm。但是,这些器件要工作在更高的频率下,其栅氧化物厚度必须减薄,为此就要工作在较低的电源电压下。为了用3V电源电压(电压还在
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现代无线应用正促使将CMOS器件的栅长定到亚1μm。但是,这些器件要工作在更高的频率下,其栅氧化物厚度必须减薄,为此就要工作在较低的电源电压下。为了用3V电源电压(电压还在不断地减小)工作,已经进行了大量的研究,还研究了亚1V电压工作。最近,新加坡南洋理工大学的研究人员介?
Modern wireless applications are driving the gate length of CMOS devices to 1μm. However, these devices to work at higher frequencies, the gate oxide thickness must be thinner, to work at a lower supply voltage. In order to use the 3V supply voltage (voltage is still decreasing) work, a lot of research has been carried out, but also studied the sub 1V voltage work. Recently, researchers at Nanyang Technological University in Singapore
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