GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liweibin522
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用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGs=0,VDS=35V时,漏源电流为47A/cm,跨导为300mS/mm,电流截至频率为150GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。
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