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通过实验及机理分析，讨论了紧邻晶化前电阻率极大峰与其结构的关系，讨论中将随机散射的Ｍｉｅ理论引进非晶的电输运问题中，得到了比较好的效果。
Cu-Ti非晶合金紧邻晶化前电阻极大现象及机理
【摘 要】
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通过实验及机理分析，讨论了紧邻晶化前电阻率极大峰与其结构的关系，讨论中将随机散射的Ｍｉｅ理论引进非晶的电输运问题中，得到了比较好的效果。
【机 构】
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云南曲靖师专物理系
【出 处】
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曲靖师专学报
【发表日期】
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1998年3期
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