【摘 要】
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为研究基于红外检测的GIS内部过热缺陷严重程度的评估方法,分别在母线三相共箱结构GIS腔体内的A相和B相设置"工"字形导体,模拟GIS内部导体接触不良引起的过热缺陷,开展了不同
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为研究基于红外检测的GIS内部过热缺陷严重程度的评估方法,分别在母线三相共箱结构GIS腔体内的A相和B相设置"工"字形导体,模拟GIS内部导体接触不良引起的过热缺陷,开展了不同电流下的GIS温升实验。实验中,采用电子式测温技术和红外测温技术分别对GIS内部导体以及壳体的温度进行测量。实验结果表明,模拟缺陷分别设置于A相和B相时,前者内部导体和壳体的温升均高于后者。内部导体和壳体的温升在轴向上呈现出先升高后降低的变化趋势,模拟缺陷处的温升值最大。通过分析内部导体和壳体的温升关系,发现模拟缺陷处内部导体与正常处的导体温升差和径向对应点的壳体温升差比值为定值。利用壳体温度、正常处导体温升与温升差比值可以计算获得缺陷处导体实际温升值,根据导体的允许温升值,实现了对GIS内部过热缺陷严重程度的评估。
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