ZnO∶Li压电薄膜制备及其性能研究

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【摘要】

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ZnO薄膜的高阻特性在压电方面的应用极为重要.采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了c轴择优取向优良、电阻率高和化学计量比好的掺Li+(Li/Zn摩尔比分别为0、0.05、0.10

【作者】

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陈文王兢王敏锐

【机构】

：

大连理工大学,大连理工大学,大连理工大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

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2005年10期

【关键词】

：

氧化锌掺杂 LI^+ c-轴取向电阻率 ZnO doped Li^＋ c-axis orientation resistivity

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ZnO薄膜的高阻特性在压电方面的应用极为重要.采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了c轴择优取向优良、电阻率高和化学计量比好的掺Li+(Li/Zn摩尔比分别为0、0.05、0.10、0.15、0.20)ZnO压电薄膜.研究了退火温度、掺杂浓度对ZnO薄膜晶体质量和电学特性的影响.XRD结果表明,ZnO薄膜的c轴择优取向度受退火温度和掺杂浓度的强烈影响;I-V测试表明,掺Li+后薄膜的电阻率显著提高,当Li+掺杂浓度为0.10(Li/Zn摩尔比)、退火温度为600℃时其电阻率达109Ω

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