【摘 要】
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为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50nm厚度的PMMA。实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电
【机 构】
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上海大学材料学院,大连交通大学材料学院
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为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50nm厚度的PMMA。实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流。计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10^-3cm^2/Vs和10^4。
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