GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法

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一、引言 近些年来,第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半导体转变成金属的研究已引起人们很大的兴趣。在1973年,Van Vechten根据电负性的量子电介质理论计算了一些第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物的P-T相图。在这前后,人们已在几种不同类型的高压装置上,采用不同的测量方法观测到一些具有共价键的第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半 I. INTRODUCTION In recent years, research into the conversion of Group IV elements and III-V compounds from semiconductors to metals under high pressure has drawn great interest. In 1973 Van Vechten calculated the P-T phase diagrams of some Group IV and III-V compounds based on the electronegativity quantum dielectric theory. Before and after this, several Group IV and III-V compounds with covalent bonds have been observed by different measuring methods on several different types of high pressure devices under high pressure by half
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