【摘 要】
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5.SI—GaAs的离子注入技术 在GaAs IC/工艺中,通常采用有选择的离子注入,在SI-GaAs衬底上,形成有源层、欧姆接触层、电阻层及器件之间的隔离层。 通过控制注入杂质的能量和
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5.SI—GaAs的离子注入技术 在GaAs IC/工艺中,通常采用有选择的离子注入,在SI-GaAs衬底上,形成有源层、欧姆接触层、电阻层及器件之间的隔离层。 通过控制注入杂质的能量和剂量,来达到控制掺杂的浓度和深度。加速离子的能量在50～500keV的范围,注入离子的剂量一般在10~(11)～10~(17)/cm~2的范围;衬底可以在室温条件下或加热的条件下(<400℃)进行离子注入。
5.SI-GaAs Ion Implantation Technology In GaAs IC / process, selective ion implantation is usually used to form the isolation layer between the active layer, the ohmic contact layer, the resistance layer and the device on the SI-GaAs substrate . By controlling the energy and dose of implanted impurities, the concentration and depth of doping are controlled. The energy of accelerating ions is in the range of 50-500 keV, and the dosage of ions is usually in the range of 10-11 (10) / (17) / cm 2; the substrate can be heated at room temperature or under heating (<400 ° C) for ion implantation.
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