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以TiCl4和Ti（OC4H9）4为源物质，采用热化学气相淀积（CVD）法及射频PCVD法在多孔α－Al2O3陶瓷衬底上淀积生长TiO2薄膜，观测TiO2膜的生长方式、生长速率以及结构和表面形貌等，讨论其生长机制，评价CVD改性生长的顶层TiO2陶瓷膜的气体渗透性．
TiO_2陶瓷顶层膜的化学气相淀积生长研究
【摘 要】
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以TiCl4和Ti（OC4H9）4为源物质，采用热化学气相淀积（CVD）法及射频PCVD法在多孔α－Al2O3陶瓷衬底上淀积生长TiO2薄膜，观测TiO2膜的生长方式、生长速率以及结构和表面形貌等，讨论其生长
【机 构】
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中国科学技术大学材料科学与工程系!合肥,230026,中国科学技术大学材料科学与工程系!合肥,230026,中国科学技术大学材料科学与工程系!合肥,230026,中国科学技术大学材料科学与工程系!合肥
【出 处】
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高等学校化学学报
【发表日期】
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1997年04期
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