【摘 要】
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制备了3种结构的器件:A:ITO/SiO2/Alq3/Al,B:ITO/Alq3/SiO2/Al,C:ITO/SiO2/Alq3/SiO2/Al.对于器件A和B,在正向偏压(ITO接正极)下才能观察到发光;而对于器件C,在正向和反向偏
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所,中国科学院半导体研究所,北京交通大学光电子技术研究所,北京交通大学光电子技术研究所,北京石油化工学院
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制备了3种结构的器件:A:ITO/SiO2/Alq3/Al,B:ITO/Alq3/SiO2/Al,C:ITO/SiO2/Alq3/SiO2/Al.对于器件A和B,在正向偏压(ITO接正极)下才能观察到发光;而对于器件C,在正向和反向偏压下都可以观察到发光.随着电压升高,器件B和C产生的蓝色发光相对绿光逐渐增强.这主要是由于SiO2中的加速电子碰撞激发Alq3发光层产生热电子,并与空穴形成电子空穴对,复合产生蓝光;而对于器件A,在反向偏压下被热电子碰撞激发出的空穴与正向偏压下从Al电极进入的电子复合形成激子
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