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ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体，具有很多优异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型，很难实现P型的掺杂。ZnO的P型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术，也是目前ZnO研究的关键课题。目前在P型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展，对此进行了详细的分析与论述，并且展望了P型ZnO薄膜制备的前景。