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用反应溅射法制备Fe-N薄膜和不同Ta含量的Fe-Ta-N薄膜。研究了这些薄膜的结构和磁性与Ta含量的关系。实验发现，Ta的加入有利于抑制薄膜中γ-Fe4N相的生成。加入的Ta部分取代了α-Fe晶格中的Fed原子形成了α-Fe(Ta)固溶体，部分则沉积在α-Fe晶粒边界与N生成TaN化合物，抑制了α-Fe晶粒在热处理过程中的长大，提高了薄膜的结构和磁性的稳定性。