【摘 要】
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一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺
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一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺及耗尽型负载 E/D 技术耒提高电路性能,从而形成了标
First, the introduction MOS technology has always been the development of LSI (large scale integrated circuits) the mainstream. Especially the n-side MOS process, double-layer polysilicon technology developed from single-layer silicon gate to memory technology in 1976, and combined with planar isolation process such as local oxidation and depletion-mode load E / D technology to improve the circuit Performance, which formed the standard
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