【摘 要】
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采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件，对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究，分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明：过冲电流与
【机 构】
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西北核技术研究所,西安交通大学电子信息学院
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采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件，对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究，分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明：过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关，过冲电流的峰值与上升沿时间有关，上升沿时间越短，峰值越大；PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响，P层、N层的掺杂浓度越高，过冲电流的峰值越大，过冲电流的波形下降越快；I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响，但并不显著。
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