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MOCVD Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As<sub>1-y</sub>Sb<sub>

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Cary1986
【摘 要】
：
Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As<sub>1-y</sub>Sb<sub>y</sub> alloys have been grown by atmospheric pressure MOCVD on n-GaSb（Te-doped）substrate.The sohd compositio
【作 者】
：
周天明 张宝林 金亿鑫 蒋红 宁永强 
【机 构】
：
ChangchunInstituteofPhysicsChineseAcademyofSciences,Changchun130021,China,ChangchunInstituteofPhysic
【出 处】
：
稀有金属：英文版
【发表日期】
：
1992年3期
【关键词】
：
MOCVD Ga<sub>x</sub>In+(1-x)As<sub>1-y</sub>Sb<sub> 
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Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As<sub>1-y</sub>Sb<sub>y</sub> alloys have been grown by atmospheric pressure MOCVD on n-GaSb（Te-doped）substrate.The sohd composition was determined by using electron microprobe
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