【摘 要】
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The poor film formation of CdSe/ZnS quantum dots(QDs)during spin-coating makes a substantial impact on the de-vice performance of quantum dot light-emitting diodes(QLEDs).This work proposes a method to improve the mor-phology of the quantum dot light-emit
【机 构】
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National Engineering Lab of Special Display Technology,State Key Lab of Advanced Display Technology,
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The poor film formation of CdSe/ZnS quantum dots(QDs)during spin-coating makes a substantial impact on the de-vice performance of quantum dot light-emitting diodes(QLEDs).This work proposes a method to improve the mor-phology of the quantum dot light-emitting layer(EML)by adding small organic molecular 4,4\'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)into the layer.Its surface roughness reduces from 6.21 nm to 2.71 nm,which guarantees a good con-tact between hole transport layer(HTL)and EML.Consequently,the CdSe/ZnS QDs:CBP based QLED achieves maximum external quantum efficiency(EQE)of 5.86％,and maximum brightness of 10 363 cd/m2.It is demonstrated that the additive of small organic molecules could be an effective way to improve the brightness and the efficiency of QLEDs.
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