【摘 要】
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基于130 nm RF CMOS工艺,设计了一种适用于K波段的高增益低噪声折叠式下变频混频器.采用折叠式双平衡电路结构,混频器的跨导级和开关级可以在不同的偏置条件下工作,为优化两级的噪声提供了极大的自由度.采用电流复用技术,混频器的转换增益和噪声系数得以显著改善.后仿真结果表明,该混频器在本振功率为-3 dBm时,实现了27.8 dB的转换增益和7.36 dB的噪声系数.在射频信号为24 GHz处的输入1 dB压缩点P1dB为--18.8 dBm,本振端口对射频端口的隔离度大于60.2 dB.该电路工作于
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十四研究所,石家庄050081;武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072
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基于130 nm RF CMOS工艺,设计了一种适用于K波段的高增益低噪声折叠式下变频混频器.采用折叠式双平衡电路结构,混频器的跨导级和开关级可以在不同的偏置条件下工作,为优化两级的噪声提供了极大的自由度.采用电流复用技术,混频器的转换增益和噪声系数得以显著改善.后仿真结果表明,该混频器在本振功率为-3 dBm时,实现了27.8 dB的转换增益和7.36 dB的噪声系数.在射频信号为24 GHz处的输入1 dB压缩点P1dB为--18.8 dBm,本振端口对射频端口的隔离度大于60.2 dB.该电路工作于1.5V的电源电压,总直流电流为12 mA,功耗为18 mW.该混频器以适中的功耗获得了极高的整体性能,适用于低功耗、低噪声24 GHz雷达接收机.
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