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考虑了内建电场的影响，用变分法计算了GaN/GaAIN量子阱（QW）的电子子带和激子结合能。结果表明，对于阱宽较大情形，电子和空穴高度局域在QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使QW激子表现出二类阱特征，重空穴基态结合能对Al浓度变化不敏感。
GaN／GaAIN宽量子阱的二类激光特征
【摘 要】
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考虑了内建电场的影响，用变分法计算了GaN/GaAIN量子阱（QW）的电子子带和激子结合能。结果表明，对于阱宽较大情形，电子和空穴高度局域在QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的
【机 构】
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内蒙古大学理工学院物理系,内蒙古师范大学物理系
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2002年12期
【基金项目】
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Projectsupported by the National Natural Science Foundation of China(60 1660 0 2 )
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