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采用水热法,以3mol/LKOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的MnCl2及CoCl2、CuCl2、SnCl2等作为前驱物,合成了稀磁半导体晶体.与单独掺杂Mn离子的稀磁半导体相比,共掺杂除了对晶体形貌产生较大影响外,并没有使室温磁性有所增加.
Mn及其它元素共掺杂对稀磁半导体形貌和磁性的影响
【摘 要】
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采用水热法,以3mol/LKOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的MnCl2及CoCl2、CuCl2、SnCl2等作为前驱物,合成了稀磁半导体晶体.与单独掺杂Mn离子的稀磁半导体相
【机 构】
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河北建筑工程学院
【出 处】
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河北建筑工程学院学报
【发表日期】
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2011年4期
【基金项目】
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张家口市科学技术研究与发展指导计划项目(No.0921026B)
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