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建立了SiGe HBT基区渡越时间模型.该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布,以及器件在小电流到大电流密度下的应用.模拟结果表明,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响.
SiGe HBT基区渡越时间模型
【摘 要】
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建立了SiGe HBT基区渡越时间模型.该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布,以及器件在小电流到大电流密度
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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2001年4期
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