Bi2 Ti2 O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lianjinshi
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O7相的多晶材料 .同时还研究了Au Bi2 Ti2 O7 n Si(10 0 )结构的电容 电压 (C V)特性 ,结果表明 ,在Bi2 Ti2 O7薄膜中同时存在固定的与可移动的负电荷 ,可移动的负电荷导致了C V曲线的回线效应 Bi2Ti2O7 thin films were prepared on Si substrate by chemical solution decomposition (CSD). The results of X-ray double crystal diffraction and atomic force microscopy showed that the thin films were mainly composed of polycrystalline Bi2Ti2O7 phase, Au Bi2 Ti2 O7 n Si (10 0) structure. The results show that both the fixed and the movable negative charges exist in the Bi 2 Ti 2 O 7 thin film. Line effect
其他文献
利用自行研制的传感器和测量装置,通过对射频放电电压、电流以及其相位角的精确测定,算出放电管的总阻抗,结合放电管的等效电路模型与Godyak等建立的射频放电模型,对射频激励
为了提高FeNi化合物的饱和磁化强度,采用离子束辅助溅射沉积的方法对FeNi薄膜进行掺氮(N)的研究.实验中发现,掺氮后所生成的FeNiN薄膜在结构上同FeNi合金有相似之处: N不与Ni
由锆杂五元环化合物出发合成五元环有机化合物,只要求一个碳单元并且形成两个碳-碳键.从以下四个方面描述了利用锆杂环化物合成五元环有机化合物的新合成方法:(1)CO或RNC的插
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7
为研究离心机内部的流动状况 ,采用矢量分裂的有限体积法对强旋转流场中激波进行计算。通过选用二阶总变差减小 (TVD)格式 ,很好地捕捉到了障碍物前方的激波。讨论了在不同气
合成了一个带有末端取代的能量给体-萘和能量受体-蒽的开链冠醚(DSA).吸收光谱表明两个发色团之间在基态时没有相互作用 选择性激发萘观察到萘的荧光强度下降,同时伴随着蒽的发射增强,
在对不同有机溶剂分子结构分析的基础上 ,选取甲醇、DMF(N ,N 二甲基甲酰胺 )和乙腈溶液为碳源 ,以脉冲直流电源电解有机溶液的方法在Si片上制得了含氢类金刚石薄膜 (DLC薄膜
应用微波等离子体化学气相沉积方法 ,在单晶Si(10 0 )衬底上生长出SiC纳米线 .应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱 (EDS)和选区电子衍射 (SAD)等方法对纳米线化
通过三硝基间苯二酚(TNR,斯蒂酚酸)和氨基胍(AG)重碳酸盐、碳酰肼(CHZ)反应,制备斯蒂酚酸氨基胍和斯蒂酚酸碳酰肼.并用X-射线衍射分析、元素分析、差示扫描量热法和红外光谱
以Al2 O3 为衬底 ,采用金属有机汽相沉积 (MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1 -xN薄膜。以卢瑟福背散射 沟道技术和光致发光技术对InxGa1 -xN GaN Al2 O3 样品进行了分析。研