【摘 要】
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钨靶材是溅射沉积制备集成电路中栅极和布线层的重要原材料,在芯片制造领域扮演着重要的角色。随着芯片的制程越来越小,对沉积薄膜的性能要求越来越高,这就对钨靶材提出了更
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(2017YFB0305603)
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钨靶材是溅射沉积制备集成电路中栅极和布线层的重要原材料,在芯片制造领域扮演着重要的角色。随着芯片的制程越来越小,对沉积薄膜的性能要求越来越高,这就对钨靶材提出了更高的要求,钨靶材制备工艺的优化已成为国内外研究的热点。集成电路对钨靶材的性能指标,如纯度、致密度、晶粒尺寸及均匀性、织构等,均具有严格的要求;这些指标亦是评价钨靶材优劣的重要依据。本文主要归纳了钨靶材主要的制备手段(以热等静压和热轧为主的各种热机械工艺的组合),并分析了各工艺路径的特点,最后预测了钨靶材制备技术的发展趋势,认为进一步控制钨靶材制备
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