4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

来源 :上海师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：entine

【摘要】

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以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象，对其进行I-V测试．通过对实验数据的理论模拟，研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应．研究结果表明：温度升高，碳化硅

【作者】

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童武林孙玉俊刘益宏赵高杰陈之战

【机构】

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上海师范大学数理学院

【出处】

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上海师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2015年4期

【关键词】

：

碳化肖特基二极管热电子发射镜像力隧穿效应温度 silicon carbide Schottky diode thermionic emission

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以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象，对其进行I-V测试．通过对实验数据的理论模拟，研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应．研究结果表明：温度升高，碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低，漏电流急剧增加．正向导通时符合热电子发射机理，镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致．

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