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澜起科技（688008.SH）的科创板上市申请自2019年4月1日获得受理，仅用了短短的73天就实现了顺利过会，并于2019年7月8日正式开启了线上线下申购，目前已位列7月22日第一批上市的25家科创新股之一。作为全球内存接口芯片“独角兽”企业，其本次上市发行战略配售数量占发行数量接近30%，该比例为当前科创板第一，其中英特尔大连因看好公司发展，积极参与配股1129.81万股，配额金额高达2.80亿元。
内存接口芯片是芯片设计领域技术门槛较高的一个细分行业，澜起科技自2004年成立伊始就以内存接口芯片为主营产品，通过十五年的专注研发和持续投入，发明了DDR4全缓冲“1+9”架构，该发明被成功采纳为JEDEC国际标准。目前澜起科技已凭借尖端技术，成功跻身全球仅有的三大内存接口芯片公司之一，其余的两家IDT和Rambus都是美国公司。因澜起科技竞争优势明显，其内存接口芯片在全球市场上的占有率已高达近50%。也因此，其客户几乎囊获了下游DRAM（动态随机存取存储器）市场所有国际龙头企业，包括三星电子、海力士、美光科技等。据相关行业统计数据显示，三星电子、海力士、美光科技位居DRAM市场行业前三名，全球市场占有率合计超过90%。这就意味着，澜起科技的产品几乎覆盖了整个下游企业，具有极强的行业话语权。
同时，记者还看到，随着全球内存接口芯片的市场需求持续增长，以及澜起科技全球市场份额的持续提高，其公司业绩也随之呈现出飞速增长之势。数据显示，2016至2018年度公司营收分别为8.45亿元、12.28亿元和17.58亿元，2018年毛利率达到了70%左右;2018年归母净利润更是高达7.37亿元，同比增长了112.35%，公司营业收入和盈利能力均高于行业平均水平。
值的一提的是，除了继续巩固其内存接口芯片市场的龙头地位以外，澜起科技还开始了服务器CPU平台的布局工作。据了解，2018年底其就推出了与清華大学、Intel联合研发的第一代津逮 服务器CPU，现已具备量产能力，目前正根据客户订单安排生产及销售，国内知名服务器厂商如联想、新华三、长城、宝德等均已推出支持津逮 CPU的服务器产品。接下来，澜起科技表示，将持续升级津逮 服务器CPU及其平台的各项性能，同时此次募资的资金将集中投向新一代内存接口芯片、津逮 服务器CPU、人工智能芯片等多个项目，以期创造出新的业务增长点。
众所周知，集成电路产业发展日新月异，技术及产品迭代速度非常快。作为内存接口芯片产业的全球领导者，澜起科技为了不断巩固竞争优势和市场地位，参与了DDR5 JEDEC标准的制定，积极提前布局研发DDR5内存接口芯片。据了解，截至目前澜起科技已经完成第一代DDR5工程版芯片流片及功能验证，各项指标和功能符合预期，有望2020年底前完成第一代DDR5内存接口芯片量产版的研发工作。而科研的不断创新，则来源于澜起科技始终不遗余力地持久高投入。公开资料显示，2016年至2018年，澜起科技的研发费用分别达到了1.98亿元、1.88亿万元和2.77亿元，占营收比均值达到了15%左右。公开资料显示，截至2019年4月，澜起科技已获授权的国内外专利多达90项，其中获集成电路布图设计证书达39项。
同时，记者还发现，澜起科技还拥有众多高端核心技术领军人才，其中公司董事长杨崇和博士曾在全球顶尖芯片设计公司工作多年，2010年还成功当选为美国电气和电子工程师协会院士，更荣获过多种奖项，包括“IEEECAS产业先驱奖”和上海市政府授予的“白玉兰荣誉奖”等。
多年不间断的科研创新，已经使澜起科技取得了一系列显著成就，核心竞争力得到了极大夯实。公开资料显示，2016年6月，中国电子学会认定澜起科技“低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术整体技术达到国际领先水平”，同年12月，该项技术及产业化项目荣获“中国电子学会科学技术奖一等奖”;2018年，澜起科技“第二代DDR4内存缓冲控制器芯片”荣获了‘中国芯’年度重大创新突破产品”奖;当年11月，津逮 服务器CPU及其平台采用的“动态安全监控技术”获评第五届世界互联网大会“世界互联网领先科技成果”;2019年5月，公司“低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术”项目荣获上海市人民政府颁发的“上海市技术发明一等奖”。
产品全球市占率高达近50% 毛利率高达70%左右
内存接口芯片是芯片设计领域技术门槛较高的一个细分行业，澜起科技自2004年成立伊始就以内存接口芯片为主营产品，通过十五年的专注研发和持续投入，发明了DDR4全缓冲“1+9”架构，该发明被成功采纳为JEDEC国际标准。目前澜起科技已凭借尖端技术，成功跻身全球仅有的三大内存接口芯片公司之一，其余的两家IDT和Rambus都是美国公司。因澜起科技竞争优势明显，其内存接口芯片在全球市场上的占有率已高达近50%。也因此，其客户几乎囊获了下游DRAM（动态随机存取存储器）市场所有国际龙头企业，包括三星电子、海力士、美光科技等。据相关行业统计数据显示，三星电子、海力士、美光科技位居DRAM市场行业前三名，全球市场占有率合计超过90%。这就意味着，澜起科技的产品几乎覆盖了整个下游企业，具有极强的行业话语权。
同时，记者还看到，随着全球内存接口芯片的市场需求持续增长，以及澜起科技全球市场份额的持续提高，其公司业绩也随之呈现出飞速增长之势。数据显示，2016至2018年度公司营收分别为8.45亿元、12.28亿元和17.58亿元，2018年毛利率达到了70%左右;2018年归母净利润更是高达7.37亿元，同比增长了112.35%，公司营业收入和盈利能力均高于行业平均水平。
值的一提的是，除了继续巩固其内存接口芯片市场的龙头地位以外，澜起科技还开始了服务器CPU平台的布局工作。据了解，2018年底其就推出了与清華大学、Intel联合研发的第一代津逮 服务器CPU，现已具备量产能力，目前正根据客户订单安排生产及销售，国内知名服务器厂商如联想、新华三、长城、宝德等均已推出支持津逮 CPU的服务器产品。接下来，澜起科技表示，将持续升级津逮 服务器CPU及其平台的各项性能，同时此次募资的资金将集中投向新一代内存接口芯片、津逮 服务器CPU、人工智能芯片等多个项目，以期创造出新的业务增长点。
专注科研创新，不断巩固核心竞争力
众所周知，集成电路产业发展日新月异，技术及产品迭代速度非常快。作为内存接口芯片产业的全球领导者，澜起科技为了不断巩固竞争优势和市场地位，参与了DDR5 JEDEC标准的制定，积极提前布局研发DDR5内存接口芯片。据了解，截至目前澜起科技已经完成第一代DDR5工程版芯片流片及功能验证，各项指标和功能符合预期，有望2020年底前完成第一代DDR5内存接口芯片量产版的研发工作。而科研的不断创新，则来源于澜起科技始终不遗余力地持久高投入。公开资料显示，2016年至2018年，澜起科技的研发费用分别达到了1.98亿元、1.88亿万元和2.77亿元，占营收比均值达到了15%左右。公开资料显示，截至2019年4月，澜起科技已获授权的国内外专利多达90项，其中获集成电路布图设计证书达39项。
同时，记者还发现，澜起科技还拥有众多高端核心技术领军人才，其中公司董事长杨崇和博士曾在全球顶尖芯片设计公司工作多年，2010年还成功当选为美国电气和电子工程师协会院士，更荣获过多种奖项，包括“IEEECAS产业先驱奖”和上海市政府授予的“白玉兰荣誉奖”等。
多年不间断的科研创新，已经使澜起科技取得了一系列显著成就，核心竞争力得到了极大夯实。公开资料显示，2016年6月，中国电子学会认定澜起科技“低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术整体技术达到国际领先水平”，同年12月，该项技术及产业化项目荣获“中国电子学会科学技术奖一等奖”;2018年，澜起科技“第二代DDR4内存缓冲控制器芯片”荣获了‘中国芯’年度重大创新突破产品”奖;当年11月，津逮 服务器CPU及其平台采用的“动态安全监控技术”获评第五届世界互联网大会“世界互联网领先科技成果”;2019年5月，公司“低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术”项目荣获上海市人民政府颁发的“上海市技术发明一等奖”。