硅中氧行为研究的新进展

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本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响,以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实,提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量,并对与内吸除有关的因素,即硅中氧行为,如硅中氧施主,氧沉淀及其衍生缺陷,硅片中的吸净层,硅片中的氧与翘曲的成因机制等,作了概要介绍。
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