【摘 要】
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采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其
【机 构】
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北京大学物理学院介观物理国家重点实验室
【基金项目】
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介观物理国家重点实验室专项经费资助
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采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其对ZnO纳米线的PL光谱有明显的改善,纳米线本征发光增强20倍左右,缺陷发光有显著的减弱。通过高温退火,结果显示ZnO纳米线的本征发光和缺陷发光之间存在很强的竞争,在入射光功率一定的条件下,高温退火后ZnO纳米线的本征发光明显地减弱,缺陷发光显著地增强。对退火后的ZnO纳米线镀上Au膜,发现其本征发光增强了30倍左右。这些结
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