基于植球工艺的电路隔离度仿真设计

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用电磁仿真软件HFSS模拟仿真了植球工艺下电路的隔离度。以平行耦合线为基本模型。分别讨论了在耦合线间植一排焊球、在耦合线两侧植焊球、在耦合线间植双排焊球以及密绕耦合线植球四种植球模型下耦合线的隔离度。仿真结果表明耦合线的隔离度主要受球径、球间距的影响,而与焊球重心高度、球中心水平方向小范围偏移以及板间距关系不大。球半径0.4mm,球边缘距离0.5mm,密绕植球模型耦合线隔离度在DC-8.4GHz最好,大于54dB。对于工作在10GHz以下的电路,用第二和第三种植球模型就可以满足电路隔离度性能。为了满足工作
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