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短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究
短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究
来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaobudian1980
【摘 要】
:
研究了632.8nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性,发现该薄膜可在100ns条件下实现直接重写,在优化膜层结构后,写擦循环次数高达10^6,反射率对比度在15%以上。
【作 者】
:
刘超
姜复松
【机 构】
:
中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
:
光学学报
【发表日期】
:
1996年10期
【关键词】
:
短波长相变材料
薄膜
静态性能
光盘
锗锑碲
short wavelength phasechange media
Ge2Sb2Te5 thin film
s
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研究了632.8nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性,发现该薄膜可在100ns条件下实现直接重写,在优化膜层结构后,写擦循环次数高达10^6,反射率对比度在15%以上。
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