【摘 要】
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为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350℃的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上.样品的XRD谱显示薄膜为＜001＞方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院光电信息材料与量子器件系,Material Science Department,Groupe d'Etude de la Matière Condensée,Cen
【基金项目】
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教育部新世纪优秀人才支持计划;哈尔滨市项目
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为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350℃的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上.样品的XRD谱显示薄膜为＜001＞方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250℃时最低.原子力图像分析显示:薄膜的表面形貌随沉积温度而变化,粗糙度随温度升高而增加.样品的XPS谱在134eV附近清晰地观测到了磷的P2p峰,且组分随衬底温度而变化.在400～600nm的范围内样品的平均光学透射率大于60％,所计算的光学带隙大约为3.2 eV.薄膜的Hall测量表明薄膜为n型电导,且薄膜中的载流子浓度随温度的升高而降低.该工作有助于对ZnO低温磷掺杂薄膜性质的了解,从而在低温下获得磷掺杂的ZnO p型导电薄膜.
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