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对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行比较，还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析。
可达到40Gb／S的材料选择：SiGe与GaAs和InP的比较
【摘 要】
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对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行比较，还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析。
【机 构】
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电子十三所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年6期
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