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采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x]（x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm）非晶多层薄膜,X射线衍射仪（XRD）显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023～1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋