Si1-xGex／SOI材料的基本性质与应用前景

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuzheng80927

【摘要】

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主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质,比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英

【作者】

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张海鹏章红芳吕幼华

【机构】

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杭州电子工业学院电子信息分院

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2004年3期

【关键词】

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Si1-xGex/SOI 应变层光波导光电集成超晶格应用 Si1-xGex/SOI strained layer light waveguide OEI

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主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质,比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英光波导在光、光电集成方面的优势,简述了与体硅相比,SOI在VLSI应用方面的优越性及其在微电子领域的广泛应用.最后探讨了Si1-Gex/SOI材料在光电集成和光集成领域的巨大应用前景.

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