【摘 要】
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首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结
【机 构】
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渤海大学新能源学院,中利腾晖光伏科技有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(11304020)
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首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标，对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明，发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×10^20cm^-3，结深为0．1μm时，太阳电池转换效率最高，可达20．39％。若采用热扩散工艺制备发射区，扩散温度范围为825～850℃，扩散时间范围为10～20min；若采用
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