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对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。
poly—Si TFT 制作工艺探索
【摘 要】
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对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对
【机 构】
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南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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1998年01期
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