【摘 要】
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研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室,首钢工学院机电工程系,中国电子科技集团公司第十三研究所
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研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制。而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaN SBD相反。实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后
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