【摘 要】
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用微波等离子体化学气相淀积法(MPCVD)在Si基片上生长了金刚石薄膜,通过对其进行Raman光谱分析,一次表征了金刚石的结构、纯度及应力状况等材料性能,同时并研究了生长过程中
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用微波等离子体化学气相淀积法(MPCVD)在Si基片上生长了金刚石薄膜,通过对其进行Raman光谱分析,一次表征了金刚石的结构、纯度及应力状况等材料性能,同时并研究了生长过程中微波功率与金刚石性质的关系.研究表明,微波等离子体化学气相淀积法生长的金刚石薄膜,除了金刚石成分的生长外,还会有部分非金刚石成分的生长,金刚石的纯度与微波功率的关系不明显,另外此种方法生长的金刚石薄膜主要表现为张应力.
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