【摘 要】
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本发明的详细说明:本发明是有关含微量放射性元素的氧化铝生产方法。详细地说就是关于适用于制做半导体存储装置的标准部件等氧化铝的生产方法。现在,应用于半导体存储装置
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本发明的详细说明:本发明是有关含微量放射性元素的氧化铝生产方法。详细地说就是关于适用于制做半导体存储装置的标准部件等氧化铝的生产方法。现在,应用于半导体存储装置中的主要是金属氧化物半导体晶体管及电容器将电荷输入
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