【摘 要】
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设计了Si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/Si O2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影
【机 构】
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深圳信息职业技术学院电子与通信学院,
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设计了Si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/Si O2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/Si O2的对数分别为2和3,Ge薄膜的厚度为0.46μm,器件的台面面积小于176μm2时,探测器在中心波长1.55μm处的外量子效率达到0.64,比普通结构提高了30倍,同时器件的带宽达到40 GHz。
The device structure of Ge thin film resonator-enhanced photodetector on Si substrate is designed. Theoretical calculation of the logarithm of Si / Si O2, the thickness of Ge film in the absorption region, the area of the active region, Quantum efficiency, bandwidth and other performance implications. When the device upper and lower mirror Si / Si O2 logarithm respectively 2 and 3, Ge film thickness of 0.46μm, the device surface area of less than 176μm2, the detector at the center wavelength of 1.55μm at the external quantum efficiency of 0.64, than Up to 30x increase in common structure with device bandwidth up to 40 GHz.
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