Growth and in situ high-pressure reflection high energy electron diffraction monitoring of oxide th

来源 :中国科学:物理学、力学、天文学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rongtian2588
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接口和表面物理是在在最近的十年的压缩的事物理以内的一个重要学科的分支。象氧化物电子的设备一样的新奇概念被推动,并且他们的性能和一生高度依赖于层表面和接口的平坦和突然。思考高精力的电子衍射(RHEED ) 对表面形态学极其敏感,证明了是为氧化物的生长学习的一种万用的技术薄电影。一个微分抽单位启用 RHEED 的实现,保证搏动的激光免职(PLD ) 系统一在里面在工作的常规 PLD 电影生长过程监视的 situ 氧压力直到 30 Pa。由优化免职条件并且分析 RHEED 紧张摆动, layer-by-laye
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