【摘 要】
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在纳米晶体硅制备的过程中,晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节.热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式.实验表明：选取适当的晶化方式和
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学纳米光子物理研究所,中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室,凯里学院物理与电子工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：61465003,11264007）资助的课题
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在纳米晶体硅制备的过程中,晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节.热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式.实验表明：选取适当的晶化方式和参量对制备纳米硅晶体结构至关重要,特别是在制备硅量子点和量子面的过程中控制好参量,可以得到较高的发光效率.有趣的是,在实验中发现：当晶化时间较短（如低于20 min）时,可以获得较好的纳晶硅结构（如量子点结构）,对应于较好的纳晶硅光致发光（PL）和掺杂局域态发光;当晶化时间较长（如超过30 min）时,纳米晶体硅结构被破坏,致使PL谱逐渐减弱与
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