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文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好。
GexSi1—x／Si超晶格PIN波导探测器电输运过程分析
【摘 要】
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文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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西安交通大学学报
【发表日期】
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1997年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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