论文部分内容阅读
以石墨为原料,正硅酸乙酯为硅源,硝酸铁为催化剂,采用溶胶-凝胶法和碳热还原法得到了碳化硅纳米线,随后用比例为1∶3的浓硝酸和氢氟酸对所制备的样品进行腐蚀。用X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪(IR)、场发射扫描电镜(FESEM)、荧光光谱仪(PL)对腐蚀前后的碳化硅样品分别进行结构及性能的表征。结果表明,化学腐蚀前后的晶体形貌差异较大,而且光致发光特性产生明显不同。强发射峰位置出现明显蓝移是由于晶体结构缺陷和表面形貌导致的。