【摘 要】
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采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500～900℃)及退火气氛(N2O2)对薄膜的结构及其发光性能的影响.并优化条件得到具有
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采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500～900℃)及退火气氛(N2O2)对薄膜的结构及其发光性能的影响.并优化条件得到具有最小半峰全宽及最大晶粒尺寸的薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明:氮气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为900℃;氧气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为800℃.红外(IR)光谱中,退火后Zn-O特征振动峰红移,说明在退火过程中,原子重新排布后占据较低能量位置;同样的退火温度下,氮气氛下退火的薄膜质量更优.同步辐射光电子能谱(synchrotron-based XPS)分别表征了未退火及N2O2:下900℃退火的ZnO薄膜,分峰拟合结果表明氧气氛下退火产生更多的氧空位.结构表征结合光致发光(PL)谱表明绿光的发光峰与氧空位有关.
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