ZrCuSiAs型锰基化合物ThMnSbN中的化学压力效应

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sheng198208
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采用固相反应法合成了一种ZrCuSiAs型准二维层状锰基化合物ThMnSbN.基于X射线粉末衍射的结构精修显示,该化合物属于P4/nmm空间群.其晶胞参数为a=4.1731?,c=9.5160?.电输运测量显示,该化合物电阻率随温度下降缓慢上升,且在16 K附近出现电阻率异常.与此同时,该材料的磁化率在同一温度附近出现异常,显示出类似磁性相变的行为.进一步的比热测量中没有观察到磁相变导致的比热异常.另外,低温下的比热分析显示,该材料的电子比热系数为g=19.7 mJ·mol-1·K-2,远高于其他同类锰基化合物.该结果与电输运测量中观察到的低电阻率行为相符,暗示ThMnSbN中费米面附近存在可观的电子态密度.基于对一系列ZrCuSiAs型化合物晶体结构细节的比较,分析了含有萤石型Th2N2层的系列化合物中导电层所受化学压力的不同作用形式.
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利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法,系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应.计算表明:本征纳米带为金属,但边缘的氢或氧原子端接能使其转变为半导体.应变能有效地调控纳米带带隙的大小,适当的应变使能带结构从间接带隙转变为较小的直接带隙,这有利于光的吸收.应变也能改变纳米带的功函数,压缩应变能明显减小功函数,这有利于纳米带实现场发射功能.特别是应变能有效地调控纳米带相关器件的I-V特性,能使其开关比(Ion/Ioff)达到106,据此,可设计一个机械开关,通过拉伸及压缩
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