P—type AlAs／[GaAs／AlAs]Semiconductor／Superlattice DBR Grown by MBE

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiekc

【摘要】

：

A p-type AlAs(70.2 nm)/16.5 period ［GaAs(3 nm)/AlAs(0.7 nm)］ semiconductor/superlatice distributed Bragg reflector (DBR) has been grown on n+-GaAs(100) substrate

【作者】

：

YANChang－ling ZHONGJing－chang

【机构】

：

ChangchunInstituteofOptics,ChangchunInstituteofOpticsandFineMechanics.NationalKeyLab.ofSemiconductor

【出处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

VCSEL 超晶格光谱反射分布布拉格反射器 DRB MBE 分子束外延串联电阻 Distributed Bragg reflector Superlat

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A p-type AlAs(70.2 nm)/16.5 period ［GaAs(3 nm)/AlAs(0.7 nm)］ semiconductor/superlatice distributed Bragg reflector (DBR) has been grown on n+-GaAs(100) substrate by V80H molecular beam epitaxy system. Experimental reflection spectrum shows that its centra

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