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由于Si材料制作的电源管理器件的性能已趋极限，为开拓新的材料不少公司作了许多努力，近年有所突破，那就是在Si材料上生长一层GaN，成为GaN电源管理器件，它具有效率高、体积小和可减少高压产品电耗等优点。
GaN电源管理器件未来两年将快速增长
【摘 要】
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由于Si材料制作的电源管理器件的性能已趋极限，为开拓新的材料不少公司作了许多努力，近年有所突破，那就是在Si材料上生长一层GaN，成为GaN电源管理器件，它具有效率高、体积小和可减
【出 处】
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电子产品世界
【发表日期】
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2010年6期
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